RTF反转铜箔
RTF反转铜箔专为高频高速电路设计，采用反转处理技术实现表面轮廓均匀优化，在保障优异双面抗剥离强度的同时，兼顾良好的热稳定性与延展性。该产品能有效平衡信号完整性与层间结合力，是服务器主板、毫米波雷达及AI服务器等高端计算平台的理想基材。
物性性能表
项目 | 单位 | 参数 | |||
产品系列 | / | RTF1 | RTF2 | RTF3 | |
标称厚度 | μm | 12-35 | |||
面密度 | g/m2 | 107±5--283±6 | |||
粗糙度 | 非处理面 Rz | μm | ≤4.0 | ≤4.0 | ≤3.8 |
处理面 Rz | μm | ≤ 3.0 | ≤2.5 | ≤2.0 | |
抗拉强度 | R.T.(23℃) | Mpa | ≥300 | ||
H.T.(180℃) | ≥180 | ||||
延伸率 | R.T.(23℃) | % | ≥3.0 | ||
H.T.(180℃) | ≥3.0 | ||||
剥离强度(EM285) | N/mm | ≥0.6 | ≥0.45 | ≥0.45 | |
针孔和渗透点 | / | 无 | |||
电镜下铜箔形貌
光面放大2000倍
毛面放大2000倍
下游应用场景
高速服务器
毫米波雷达
交换机
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